AOB10B60D参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOB10B60D概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3Pin2+Tab D2PAK

IGBT - 600 V 20 A 163 W 表面贴装型 TO-263（D2Pak）

得捷:
IGBT 600V 20A 163W TO263

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK

Win Source:
IGBT 600V 20A 163W TO263

AOB10B60D中文资料参数规格

技术参数

额定功率 163 W

耗散功率 163000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 105 ns

额定功率Max 163 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 163000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AOB10B60D

型号： AOB10B60D

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3Pin2+Tab D2PAK