AON3818参数规格_中文资料_数据手册PDF

AON3818概述

DFN N-CH 24V 8A

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 24V 8A 2.7W 表面贴装型 8-DFN（3x3）

立创商城:
AON3818

得捷:
MOSFET 2N-CH 24V 8A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 24V 8A 8-Pin DFN

TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 6A; 1.7W; DFN8

Win Source:
MOSFET 2N-CH 24V 8A

AON3818中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1.7 W

极性 N-CH

漏源极电压Vds 24 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 800 ns

输入电容Ciss 840pF @12VVds

额定功率Max 2.7 W

下降时间 5200 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AON3818

型号： AON3818

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：DFN N-CH 24V 8A

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