AO4612

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AO4612概述

SOIC N+P 60V 4.5A/3.2A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 4.5A,3.2A 2W 表面贴装型 8-SOIC


得捷:
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC


立创商城:
AO4612


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this AO4612 power MOSFET from Alpha &a; Omega Semiconductor. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; 60/-60V; 1.28W


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.2A 8-Pin SOIC


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC


Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC


AO4612中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.28 W

极性 N+P

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 4.5A/3.2A

上升时间 2.3 ns

输入电容Ciss 540pF @30VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 1.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AO4612
型号: AO4612
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:SOIC N+P 60V 4.5A/3.2A
替代型号AO4612
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

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