AOT10B60D

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AOT10B60D概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube

IGBT - 600 V 20 A 163 W 通孔 TO-220


得捷:
IGBT 600V 20A 163W TO220


艾睿:
The AOT10B60D IGBT transistor from Alpha &a; Omega Semiconductor is the best electronic switch for fast switching. Its maximum power dissipation is 163000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO220; Eon:0.26mJ; Eoff:0.07mJ


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
IGBT 600V 20A 163W TO220


AOT10B60D中文资料参数规格
技术参数

额定功率 82 W

耗散功率 163000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 105 ns

额定功率Max 163 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 163000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AOT10B60D
型号: AOT10B60D
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3Pin3+Tab TO-220 Tube

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