Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW Tube
IGBT 650V 80A 300W Through Hole TO-247
得捷: IGBT 650V 40A TO247
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW Tube
额定功率 300 W
耗散功率 300000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册