AON5810

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AON5810概述

DFN N-CH 20V 7.7A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 20V 7.7A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP 2x5


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.7A 6-Pin DFN


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.1A; 1W; DFN6


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN


AON5810中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1 W

极性 N-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 7.7A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1360pF @10VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN-6

外形尺寸

封装 DFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AON5810
型号: AON5810
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:DFN N-CH 20V 7.7A

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