AOKS30B60D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOKS30B60D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247

得捷:
IGBT 600V 30A TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

AOKS30B60D1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 208 W

耗散功率 208000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 208 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOKS30B60D1

型号： AOKS30B60D1

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube