DFN N-CH 20V
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 - - 700mW 表面贴装型 4-AlphaDFN(1.57x1.57)
得捷: MOSFET 2N-CH
艾睿: Trans MOSFET N-CH 20V T/R
TME: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; 700mW; DFN4
额定功率 0.7 W
极性 N-CH
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 2200 ns
额定功率Max 700 mW
下降时间 6500 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
封装 XFDFN-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册