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AOC2800概述

WLCSP N-CH 30V

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 - - 1.3W 表面贴装型 4-WLCSP（1.57x1.57）

得捷:
MOSFET 2N-CH 4WLCSP

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4-Pin WLCSP

TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.3W; WLCSP1.57x1.57

AOC2800中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1.3 W

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 800 ns

额定功率Max 1.3 W

下降时间 3600 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 UFBGA-4

外形尺寸

封装 UFBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： AOC2800

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：WLCSP N-CH 30V