AO4611概述
60V 6.3A 1个N沟道和1个P沟道
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V - 2W 表面贴装型 8-SOIC
立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 60V 6.3A
得捷:
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC
Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary; 60/-60V; 5/-3.9A
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 6.3A/4.9A 8-Pin SOIC
DeviceMart:
MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC
Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
AO4611中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.28 W
极性 N+P
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 6.3A/4.9A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2300pF @30VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 5.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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