2个N沟道 40V 6A
General Description
The uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDSON and low gate charge. This dual device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
Product Summary
VDS 40V
ID at VGS=10V 6A
RDSON at VGS=10V < 30mΩ
RDSON at VGS=4.5V < 38mΩ
100% UIS Tested
100% Rg Tested
额定功率 1.28 W
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 3.6 ns
输入电容Ciss 650pF @20VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 6.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free