AON6506参数规格_中文资料_数据手册PDF

AON6506概述

DFN N-CH 30V 36A

N-Channel 30V 33A Ta, 36A Tc 4.2W Ta, 83W Tc Surface Mount 8-DFN 5x6

得捷:
MOSFET N-CH 30V 33A/36A 8DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin DFN EP T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 36A DFN5X6

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 36A DFN5X6

AON6506中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 83000 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 36A

输入电容Ciss 2719pF @15VVds

额定功率Max 4.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4.2W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

高度 0.73 mm

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： AON6506

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：DFN N-CH 30V 36A