AOTF20B65M1参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOTF20B65M1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 45000mW 3Pin3+Tab TO-220F Tube

IGBT - 通孔 TO-220

得捷:
IGBT 650V 20A TO220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 45000mW 3-Pin3+Tab TO-220F Tube

AOTF20B65M1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 45 W

耗散功率 45000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 322 ns

额定功率Max 45 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOTF20B65M1

型号： AOTF20B65M1

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 45000mW 3Pin3+Tab TO-220F Tube