AOWF12T60P参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOWF12T60P概述

TO-262F N-CH 600V 12A

N-Channel 600V 12A Tc 28W Tc Through Hole TO-262F

得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-262F Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; TO262F

AOWF12T60P中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 28W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 72 ns

输入电容Ciss 2028pF @100VVds

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买AOWF12T60P

型号： AOWF12T60P

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：TO-262F N-CH 600V 12A