AOK40B65H1参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOK40B65H1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT 650 V 80 A 300 W 通孔 TO-247

得捷:
IGBT 650V 40A TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

AOK40B65H1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 300 W

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 346 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOK40B65H1

型号： AOK40B65H1

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube