DFN-B N-CH 30V 28A/36A
Mosfet Array 2 N-Channel Half Bridge 30V 20A, 28A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN 5x6
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8-DFN
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A/36A 8-Pin DFN-B EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 22/28A; 12/13W; DFN8
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8-DFN
额定功率 0.9230769230769231 W
极性 N-CH
耗散功率 31000@Q 1|33000@Q 2mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 28A/36A
输入电容Ciss 1010pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.6 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
封装 DFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free