DFN N-CH 20V 35A
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 20V - 3.1W 表面贴装型 8-DFN(3x3)
得捷: MOSFET 2N-CH 20V 8DFN
艾睿: Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin DFN EP T/R
TME: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 22A; 12.5W; DFN8
Win Source: MOSFET 2N-CH 20V 8DFN
额定功率 12.5 W
极性 N-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 35A
输入电容Ciss 2065pF @10VVds
额定功率Max 3.1 W
耗散功率Max 3.1 W
安装方式 Surface Mount
封装 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册