AOI4S60参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOI4S60概述

TO-251A N-CH 600V 4A

N-Channel 600V 4A Tc 56.8W Tc Through Hole TO-251A

得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-251A

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

AOI4S60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 56.8W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 263pF @100VVds

额定功率Max 56.8 W

耗散功率Max 56.8W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： AOI4S60

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：TO-251A N-CH 600V 4A