AOB27S60L

AOB27S60L图片1
AOB27S60L图片2
AOB27S60L图片3
AOB27S60L图片4
AOB27S60L图片5
AOB27S60L图片6
AOB27S60L图片7
AOB27S60L概述

N沟道 600V 27A

Thanks to Alpha & Omega Semiconductor, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the power MOSFET. Its maximum power dissipation is 357000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

AOB27S60L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 357 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 27A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 1294pF @100VVds

额定功率Max 357 W

下降时间 34 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 357W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.45 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOB27S60L
型号: AOB27S60L
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:N沟道 600V 27A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台