AUIRF8739L2TR概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 40 V, 350 µohm, 10 V, 3.9 V
Benefits:
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- Advanced Process Technology
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- Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications
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- Exceptionally Small Footprint and Low Profile
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- High Power Density
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- Low Parasitic Parameters
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- Dual Sided Cooling
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- 175°C Operating Temperature
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- Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
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- Lead Free, RoHS Compliant and Halogen Free
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- Automotive Qualified
AUIRF8739L2TR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 350 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 340 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 57A
上升时间 117 ns
输入电容Ciss 17890pF @25VVds
下降时间 95 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 340W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 DirectFET-L8
外形尺寸
长度 9.15 mm
宽度 7.1 mm
高度 0.74 mm
封装 DirectFET-L8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买AUIRF8739L2TR