APT47GA60JD40

APT47GA60JD40图片1
APT47GA60JD40图片2
APT47GA60JD40图片3
APT47GA60JD40中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 6.32nF @25V

额定功率Max 283 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 283000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APT47GA60JD40
型号: APT47GA60JD40
制造商: Microsemi 美高森美
描述:高速PT IGBT High Speed PT IGBT

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台