N沟道 800V 31A
N-Channel 800V 31A Tc 565W Tc Through Hole T-MAX™ [B2]
得捷:
MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
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N沟道 800V 31A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 31A 3-Pin3+Tab T-MAX
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Trans MOSFET N-CH 800V 31A 3-Pin3+Tab T-MAX
额定电压DC 800 V
额定电流 31.0 A
耗散功率 565W Tc
输入电容 4.67 nF
栅电荷 160 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 31.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 4670pF @25VVds
额定功率Max 565 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 565W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT8024B2LLG Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT8020B2LLG 美高森美 | 类似代替 | APT8024B2LLG和APT8020B2LLG的区别 |
APT8020B2FLLG 美高森美 | 类似代替 | APT8024B2LLG和APT8020B2FLLG的区别 |
APT6017B2FLLG 美高森美 | 类似代替 | APT8024B2LLG和APT6017B2FLLG的区别 |