A2T21H100-25SR3

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A2T21H100-25SR3概述

RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 75W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1797

RF Mosfet N 通道


得捷:
IC RF LDMOS TRANS CELL


艾睿:
RF POWER LDMOS TRANSISTOR


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 9-Pin NI-780S T/R


RfMW:
RF Power Transistor,2110 to 2170 MHz, 75 W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 2170 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1797


A2T21H100-25SR3中文资料参数规格
技术参数

输出功率 75 W

增益 17.4 dB

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 9

封装 NI-780-4S4

外形尺寸

封装 NI-780-4S4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买A2T21H100-25SR3
型号: A2T21H100-25SR3
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 75W, Typ Gain in dB is 17.4 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1797

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