A2T20H330W24SR6

A2T20H330W24SR6概述

RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 240W, Typ Gain in dB is 16.9 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1800

RF Mosfet LDMOS(双) 28 V 700 mA 1.88GHz 16.5dB 58W NI-1230-4LS2L


得捷:
IC TRANS RF LDMOS


艾睿:
RF Power LDMOS Transistor


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 6-Pin NI-1230 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1880 to 2025 MHz, 240 W, Typ Gain in dB is 16.9 @ 1960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1800


A2T20H330W24SR6中文资料参数规格
技术参数

频率 1.88 GHz

输出功率 58 W

增益 16.5 dB

测试电流 700 mA

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 NI-1230-4LS2L

外形尺寸

封装 NI-1230-4LS2L

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买A2T20H330W24SR6
型号: A2T20H330W24SR6
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 240W, Typ Gain in dB is 16.9 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1800

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