AO5803E概述
SC-89P-CH 20V 0.6A
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V - 400mW 表面贴装型 SC-89-6
得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89
TME:
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -400mA; 240mW; SC-89-6
DeviceMart:
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
Win Source:
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
AO5803E中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.24 W
极性 P-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.6A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 100pF @10VVds
额定功率Max 400 mW
下降时间 436 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-89-6
外形尺寸
封装 SC-89-6
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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