AOT8N80

AOT8N80图片1
AOT8N80概述

TO-220 N-CH 800V 7.4A

General Description

The & AOTF8N80 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDSon, Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

Product Summary

VDS 900V@150℃

IDat VGS=10V 7.4A

RDSONat VGS=10V < 1.63Ω

AOT8N80中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 7.4A

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 1650pF @25VVds

额定功率Max 245 W

下降时间 41 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 245000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOT8N80
型号: AOT8N80
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-220 N-CH 800V 7.4A
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