AON6810概述
30V,20A,共漏极双N沟道MOSFET
Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 30V 25A 4.1W Surface Mount 8-DFN-EP 5.2x5.55
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin DFN EP
力源芯城:
30V,20A,共漏极双N沟道MOSFET
Win Source:
DFN5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION
AON6810中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 1720pF @15VVds
额定功率Max 4.1 W
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 31000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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