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AOC4810概述

30V,8A,共漏极双N沟道MOSFET

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 900mW Surface Mount 8-AlphaDFN 3.2x2

得捷:
MOSFET 2N-CH 8-DFN

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8-Pin MCSP EP

力源芯城:
30V,8A,共漏极双N沟道MOSFET

Win Source:
Plastic Encapsulated Device

AOC4810中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1130pF @15VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFLGA-8

外形尺寸

封装 XFLGA-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： AOC4810

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：30V,8A,共漏极双N沟道MOSFET