MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
表面贴装型 N 通道 30 V 8.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
得捷: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Win Source: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
耗散功率 3.1W Ta
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1100pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
耗散功率Max 3.1W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准 无铅
数据手册