P-CH 12V 11A
表面贴装型 P 通道 11A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
得捷: MOSFET P-CH 12V 11A 8SOIC
艾睿: Trans MOSFET P-CH 12V 11A
Win Source: MOSFET P-CH 8SOIC
极性 P-CH
耗散功率 3W Ta
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 4750pF @6VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 95 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册