AS6C8016A-55ZIN参数规格_中文资料_数据手册PDF

AS6C8016A-55ZIN概述

静态随机存取存储器 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mb 512K x 16 Parallel 55ns 44-TSOP2

得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP2

贸泽:
静态随机存取存储器 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器

安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II

TME:
Memory; SRAM, asynchronous; 512kx16bit; 3÷3.6V; 55ns; TSOP44 II

儒卓力:
**SRAM 512Kx16 55ns TSOP44 **

AS6C8016A-55ZIN中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3V ~ 3.6V

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AS6C8016A-55ZIN

型号： AS6C8016A-55ZIN

描述：静态随机存取存储器 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn 静态随机存取存储器