AS4C16M16S-6TIN参数规格_中文资料_数据手册PDF

AS4C16M16S-6TIN概述

DRAM 256Mb, 3.3V, 166MHz 16M x 16 SDRAM

SDRAM 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

贸泽:
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM

安富利:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

TME:
Memory; SDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 6ns; TSOP54

Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

AS4C16M16S-6TIN中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3.3 V

供电电流 150 mA

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AS4C16M16S-6TIN

型号： AS4C16M16S-6TIN

描述：DRAM 256Mb, 3.3V, 166MHz 16M x 16 SDRAM

替代型号AS4C16M16S-6TIN

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
AS4C16M16S-6TIN Alliance Memory 联盟记忆	当前型号	当前型号
AS4C16M16SA-6TIN 联盟记忆	类似代替	AS4C16M16S-6TIN和AS4C16M16SA-6TIN的区别
MT48LC16M16A2P-7E:D 镁光	功能相似	AS4C16M16S-6TIN和MT48LC16M16A2P-7E:D的区别
MT48LC16M16A2P-75:D 镁光	功能相似	AS4C16M16S-6TIN和MT48LC16M16A2P-75:D的区别