AFV141KHR5

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AFV141KHR5概述

RF Power Transistor,1200 to 1400MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 17.7 @ 1400MHz, 50V, LDMOS, SOT1787

RF Mosfet LDMOS Dual 50V 100mA 1.4GHz 17.7dB 1000W NI-1230-4H


得捷:
IC TRANS RF LDMOS


艾睿:
RF POWER LDMOS TRANSISTORS


安富利:
Trans MOSFET N-CH 5-Pin NI-1230 T/R


RfMW:
RF Power Transistor,1200 to 1400 MHz, 1000 W, Typ Gain in dB is 17.7 @ 1400 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787


AFV141KHR5中文资料参数规格
技术参数

频率 1.4 GHz

输出功率 1000 W

增益 17.7 dB

测试电流 100 mA

额定电压 105 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 NI-1230-4H

外形尺寸

封装 NI-1230-4H

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AFV141KHR5
型号: AFV141KHR5
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Power Transistor,1200 to 1400MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 17.7 @ 1400MHz, 50V, LDMOS, SOT1787

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