INFINEON AUIRF7732S2TR1 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.8 V
DirectFET® 功率 MOSFET，
**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。
在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
封装电阻极低，尽量减少传导损耗
高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型，仅 0.7mm
欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF7732S2TR1, 40 A, Vds=40 V, 7引脚 DirectFET SC封装
e络盟:
# INFINEON AUIRF7732S2TR1 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive 7-Pin Direct-FET SC T/R
针脚数 7
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 41 W
产品系列 AUIRF7732S2TR
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 14A
输入电容Ciss 1700pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 41 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.57 mm
封装 Direct-FET
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17