APECVA3010P3BT参数规格_中文资料_数据手册PDF

APECVA3010P3BT概述

Photodetector Transistors Phototrans 940nm Blue Trans 0.8mA

Phototransistors Side View 2-SMD, No Lead

得捷:
SENSOR PHOTO SIDE VIEW 2SMD

贸泽:
Phototransistors Phototrans 940nm Blue Trans 0.8 mA

Chip1Stop:
Phototransistor IR Chip Silicon NPN Transistor 2-Pin SMT T/R

APECVA3010P3BT中文资料参数规格

技术参数

波长 940 nm

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 100 mW

下降时间 15 µs

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-2

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 2 mm

高度 1 mm

封装 SMD-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APECVA3010P3BT

型号： APECVA3010P3BT

制造商： Kingbright

描述：Photodetector Transistors Phototrans 940nm Blue Trans 0.8mA

替代型号APECVA3010P3BT