AS4C32M16SB-7TINTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

AS4C32M16SB-7TINTR概述

Memory; SDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54; -40÷85℃

SDRAM Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

立创商城:
AS4C32M16SB 7TINTR

安富利:
512Mb SDRAM is a high-speed CMOS synchronous DRAM containing 512 Mbits

TME:
Memory; SDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54; -40÷85°C

AS4C32M16SB-7TINTR中文资料参数规格

技术参数

工作电压 3.3 V

时钟频率 143 MHz

存取时间 5.4 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买AS4C32M16SB-7TINTR

型号： AS4C32M16SB-7TINTR

描述：Memory; SDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; TSOP54; -40÷85℃

替代型号AS4C32M16SB-7TINTR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
AS4C32M16SB-7TINTR Alliance Memory 联盟记忆	当前型号	当前型号
AS4C32M16SB-7TIN 联盟记忆	完全替代	AS4C32M16SB-7TINTR和AS4C32M16SB-7TIN的区别
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR 联盟记忆	完全替代	AS4C32M16SB-7TINTR和MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR的区别
AS4C32M16SM-7TINTR 联盟记忆	完全替代	AS4C32M16SB-7TINTR和AS4C32M16SM-7TINTR的区别