AON6200L参数规格_中文资料_数据手册PDF

AON6200L概述

DFN N-CH 30V 13A

N-Channel 30V 13A Ta, 24A Tc 1.95W Ta, 35W Tc Surface Mount 8-DFN 5x6

得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A/24A 8DFN

DeviceMart:
MOSFET N CH 30V 24A DFN5X6

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN

AON6200L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.95W Ta, 35W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 13A

输入电容Ciss 1300pF @15VVds

耗散功率Max 1.95W Ta, 35W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AON6200L

型号： AON6200L

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：DFN N-CH 30V 13A

替代型号AON6200L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
AON6200L Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体	当前型号	当前型号
AON6536 万代半导体	类似代替	AON6200L和AON6536的区别

型号/品牌

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替代型号对比

AON6200L

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

当前型号

AON6536

万代半导体

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