AIKW40N65DF5XKSA1

AIKW40N65DF5XKSA1图片1
AIKW40N65DF5XKSA1概述

IGBT 晶体管 DISCRETES

IGBT 沟道 通孔 PG-TO247-3-41


欧时:
Infineon AIKW40N65DF5XKSA1


得捷:
IC DISCRETE 650V TO247-3


贸泽:
IGBT 晶体管 DISCRETES


e络盟:
单晶体管, IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 引脚


艾睿:
IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode


AIKW40N65DF5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AIKW40N65DF5XKSA1
型号: AIKW40N65DF5XKSA1
描述:IGBT 晶体管 DISCRETES

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台