AIHD10N60RATMA1

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AIHD10N60RATMA1概述

IGBT 晶体管 DISCRETES

Summary of Features:

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Optimized V CEsat and V F for low conduction losses
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Smooth switching performance leading to low EMI levels
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Very tight parameter distribution
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 Operating range of 1 to 20kHz
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Maximum junction temperature 175°C
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Short circuit capability of 5µs
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Best-in-Class current versus package size performance
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Pb-free lead plating; ROHS compliant for PG-TO-252: solder temperature 260°C, MSL1
AIHD10N60RATMA1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 150 W

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Piezo injection

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: AIHD10N60RATMA1
描述:IGBT 晶体管 DISCRETES

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