APT13003LZTR-G1

APT13003LZTR-G1图片1
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APT13003LZTR-G1概述

Trans GP BJT NPN 450V 0.8A 3Pin TO-92 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92


得捷:
TRANS NPN 450V 0.8A TO92


艾睿:
Trans GP BJT NPN 450V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R


Allied Electronics:
450V 800mA NPN Power Transistor TO92


安富利:
Trans GP BJT NPN 700V 0.8A 3-Pin TO-92 Ammo


APT13003LZTR-G1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.8 W

极性 NPN

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 450 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 6 @300mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

APT13003LZTR-G1引脚图与封装图
APT13003LZTR-G1封装图
APT13003LZTR-G1封装焊盘图
在线购买APT13003LZTR-G1
型号: APT13003LZTR-G1
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 450V 0.8A 3Pin TO-92 T/R
替代型号APT13003LZTR-G1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

APT13003LZTR-G1

Diodes 美台

当前型号

当前型号

APT27HZTR-G1

美台

完全替代

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