A1P25S12M3-F

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A1P25S12M3-F概述

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 25A 197W Chassis Mount ACEPACK™ 1


得捷:
IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1


贸泽:
IGBT 模块 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 197000mW 22-Pin ACEPACK-1 Frame


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 197000mW 22-Pin ACEPACK-1 Frame


A1P25S12M3-F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 197 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 1550pF @25V

额定功率Max 197 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 197000 mW

封装参数

引脚数 22

封装 ACEPACK-1

外形尺寸

封装 ACEPACK-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买A1P25S12M3-F
型号: A1P25S12M3-F
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

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