AOSD62666E参数规格_中文资料_数据手册PDF

AOSD62666E概述

2个N沟道 60V 9.5A

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 9.5A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC

立创商城:
2个N沟道 60V 9.5A

得捷:
MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

AOSD62666E中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2500 mW

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 755pF @30VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买AOSD62666E

型号： AOSD62666E

制造商： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体

描述：2个N沟道 60V 9.5A