BR25L010FJ-WE2

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BR25L010FJ-WE2概述

高可靠性串行EEPROM SPI总线串行EEPROM High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs

EEPROM 存储器 IC 1Kb(128 x 8) SPI 8-SOP-J


得捷:
IC EEPROM 1KBIT SPI 5MHZ 8SOPJ


艾睿:
EEPROM Serial-SPI 1K-bit 128 x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP-J T/R


Chip1Stop:
EEPROM Serial-SPI 1K-bit 128 x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP-J T/R


Verical:
EEPROM Serial-SPI 1K-bit 128 x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP-J T/R


BR25L010FJ-WE2中文资料参数规格
技术参数

频率 5 MHz

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

供电电流 3 mA

时钟频率 5 MHz

存取时间 5.00 µs

内存容量 1000 B

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

宽度 3.9 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BR25L010FJ-WE2
型号: BR25L010FJ-WE2
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:高可靠性串行EEPROM SPI总线串行EEPROM High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
替代型号BR25L010FJ-WE2
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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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罗姆半导体

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BR25L010FJ-WE2和BR25L010F-WE2的区别

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