BR25G256-3参数规格_中文资料_数据手册PDF

BR25G256-3概述

电可擦除可编程只读存储器 RECOMMENDED ALT 755-BR25G256F-3GE2

EEPROM Memory IC 256Kb 32K x 8 SPI 20MHz 8-DIP-T

得捷:
IC EEPROM 256KBIT SPI 20MHZ 8DIP

贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 RECOMMENDED ALT 755-BR25G256F-3GE2

艾睿:
EEPROM Serial-SPI 256K-bit 32K x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin DIP-T Tube

安富利:
EEPROM Serial-SPI 256K-bit 32K x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin DIP-T Tube

BR25G256-3中文资料参数规格

技术参数

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.6V ~ 5.5V

封装参数

引脚数 8

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BR25G256-3引脚图与封装图

在线购买BR25G256-3

型号： BR25G256-3

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：电可擦除可编程只读存储器 RECOMMENDED ALT 755-BR25G256F-3GE2