BR25L160-W参数规格_中文资料_数据手册PDF

BR25L160-W概述

SPI总线串行EEPROM SPI BUS Serial EEPROMs

EEPROM Memory IC 16Kb 2K x 8 SPI 5MHz 8-DIP-T

得捷:
IC EEPROM 16KBIT SPI 5MHZ 8DIP

贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 RECOMMENDED ALT 755-BR25L160FJ-WE2

BR25L160-W中文资料参数规格

技术参数

电源电压 1.8V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买BR25L160-W

型号： BR25L160-W

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SPI总线串行EEPROM SPI BUS Serial EEPROMs

替代型号BR25L160-W

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BR25L160-W ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
BR25L160FJ-WE2 罗姆半导体	类似代替	BR25L160-W和BR25L160FJ-WE2的区别
BR25L160F-WE2 罗姆半导体	类似代替	BR25L160-W和BR25L160F-WE2的区别
BR25L160FVT-WE2 罗姆半导体	类似代替	BR25L160-W和BR25L160FVT-WE2的区别