BR24G02-3A参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BR24G02-3A图片1

BR24G02-3A概述

EEPROM Schottky Barrier Diode 20V, 500mA

EEPROM Memory IC 2Kb 256 x 8 I²C 1MHz 8-DIP-T

得捷:
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8DIP

贸泽:
EEPROM Schottky Barrier Diode 20V, 500mA

BR24G02-3A中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 1 MHz

电源电压 1.6V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-8

外形尺寸

封装 DIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BR24G02-3A引脚图与封装图

BR24G02-3A引脚图

BR24G02-3A封装图

BR24G02-3A封装焊盘图

在线购买BR24G02-3A

型号： BR24G02-3A

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：EEPROM Schottky Barrier Diode 20V, 500mA