BR24G128FVT-3GE2参数规格_中文资料_数据手册PDF

BR24G128FVT-3GE2概述

EEPROM Serial-I2C 128Kbit 16K x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8Pin TSSOP-B T/R

EEPROM 存储器 IC 128Kb（16K x 8） I²C 400 kHz 8-TSSOP-B

得捷:
IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOPB

立创商城:
BR24G128FVT-3GE2

贸泽:
EEPROM I2C BUS 128K 16384 8bit EEPROM

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EEPROM Serial-I2C 128K-bit 16K x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-B T/R

BR24G128FVT-3GE2中文资料参数规格

技术参数

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.6V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

BR24G128FVT-3GE2引脚图与封装图

在线购买BR24G128FVT-3GE2

型号： BR24G128FVT-3GE2

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：EEPROM Serial-I2C 128Kbit 16K x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8Pin TSSOP-B T/R

替代型号BR24G128FVT-3GE2

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BR24G128FVT-3GE2 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
BR24T128FVT-WE2 罗姆半导体	完全替代	BR24G128FVT-3GE2和BR24T128FVT-WE2的区别
BR24S128FV-WE2 罗姆半导体	类似代替	BR24G128FVT-3GE2和BR24S128FV-WE2的区别
BR24G128FVJ-3GTE2 罗姆半导体	类似代替	BR24G128FVT-3GE2和BR24G128FVJ-3GTE2的区别