BR93L66FJ-WE2

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BR93L66FJ-WE2概述

高可靠性系列EEPROM的微丝总线 High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS

EEPROM Memory IC 4Kb 256 x 16 SPI 2MHz 8-SOP-J


得捷:
IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8SOPJ


贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 McrWre BUS 3-Wre 4K SOP-J8 电可擦除可编程只读存储器


艾睿:
EEPROM Serial-Microwire 4K-bit 256 x 16 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP-J T/R


Win Source:
IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOP-J


BR93L66FJ-WE2中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 2.00 MHz, 2.00 MHz max

存取时间 200 ns

内存容量 4000 B

存取时间Max 200 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.38 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BR93L66FJ-WE2
型号: BR93L66FJ-WE2
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:高可靠性系列EEPROM的微丝总线 High Reliability Series EEPROMs Microwire BUS
替代型号BR93L66FJ-WE2
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BR93L66FJ-WE2

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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罗姆半导体

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