BR25L640F-WE2

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BR25L640F-WE2概述

高速时钟操作高达5MHz (最大) High speed clock action up to 5MHzMax

EEPROM Memory IC 64Kb 8K x 8 SPI 5MHz 8-SOP


得捷:
IC EEPROM 64KBIT SPI 5MHZ 8SOP


贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 SPI 64K BIT


艾睿:
EEPROM Serial-SPI 64K-bit 8K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP T/R


安富利:
EEPROM Serial-SPI 64K-bit 8K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP T/R


Chip1Stop:
EEPROM Serial-SPI 64K-bit 8K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP T/R


Verical:
EEPROM Serial-SPI 64K-bit 8K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP T/R


BR25L640F-WE2中文资料参数规格
技术参数

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4.4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BR25L640F-WE2引脚图与封装图
BR25L640F-WE2引脚图
BR25L640F-WE2封装图
BR25L640F-WE2封装焊盘图
在线购买BR25L640F-WE2
型号: BR25L640F-WE2
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:高速时钟操作高达5MHz (最大) High speed clock action up to 5MHzMax
替代型号BR25L640F-WE2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BR25L640F-WE2

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

BR25L640FJ-WE2

罗姆半导体

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BR25L640F-WE2和BR25L640FJ-WE2的区别

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