BR24G128FVJ-3GTE2参数规格_中文资料_数据手册PDF

BR24G128FVJ-3GTE2概述

电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS2-Wre 128K TSSOP-B8J 电可擦除可编程只读存储器

EEPROM 存储器 IC 128Kb（16K x 8） I²C 8-TSSOP-BJ

得捷:
IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOP

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BR24G128FVJ-3GTE2

贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS2-Wre 128K TSSOP-B8J 电可擦除可编程只读存储器

艾睿:
EEPROM Serial-I2C 128K-bit 16K x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-BJ T/R

BR24G128FVJ-3GTE2中文资料参数规格

技术参数

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.6V ~ 5.5V

封装参数

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

BR24G128FVJ-3GTE2引脚图与封装图

在线购买BR24G128FVJ-3GTE2

型号： BR24G128FVJ-3GTE2

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS2-Wre 128K TSSOP-B8J 电可擦除可编程只读存储器

替代型号BR24G128FVJ-3GTE2

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BR24G128FVJ-3GTE2 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
BR24T128FVJ-WE2 罗姆半导体	完全替代	BR24G128FVJ-3GTE2和BR24T128FVJ-WE2的区别
BR24G128FV-3GTE2 罗姆半导体	完全替代	BR24G128FVJ-3GTE2和BR24G128FV-3GTE2的区别
BR24S128FV-WE2 罗姆半导体	类似代替	BR24G128FVJ-3GTE2和BR24S128FV-WE2的区别